فناوری

حافظه یک ترابایتی اینتل با ضخامت 2 میلیمتر ساخته شد

شرکت اینتل از تولید فناوری جدید برای ذخیره اطلاعات خبر داد که با نام 3D-NAND شناخته می‌شود و قادر است ضمن کوچک شدن اندازه، تا چند برابر حافظه‌های امروزی اطلاعات را در خود ذخیره کند.

 

به گزارش گروه اخبار خارجی آژانس خبری فناوری اطلاعات و ارتباطات (ایستنا)، این فناوری جدید که از سال آینده وارد بازار جهانی می‌شود با قیمت ارزان‌تر به دست کاربران می‌رسد و البته شرکت اینتل ادعا کرده است آن را با اندازه کوچکتر و ظرفیت بسیار بالا عرضه می‌کند.

مشابه این فناوری هم‌اکنون در بزرگترین رقیب اینتل یعنی سامسونگ ساخته می‌شود و طی آن شرکت کره‌ای از نانولایه‌های عمودی برای افزایش قابلیت ذخیره‌سازی اطلاعات در فضای بسیار کوچک استفاده می‌کند که البته برای این کار مشکلات فراوانی را هم پیش‌رو دارد.

فناوری سامسونگ V-NAND نام دارد و اگرچه دومین نسل از سری فناوری‌های این شرکت محسوب می‌شود، اما در هر واحد آن تنها می‌توان 3.2 گیگابایت اطلاعات ذخیره کرد.

در مقابل، فناوری 3D-NAND اینتل قادر است در هر 32 نانولایه 256 میلیارد بیت یا 32 گیگابایت اطلاعات ذخیره کند که این رقم یک افزایش قابل ملاحظه نسبت به ظرفیت فناوری V-NAND را نشان می‌دهد.

شرکت اینتل برنامه‌ریزی کرده است که سال آینده مدل یک ترابایتی از این حافظه‌های ذخیره‌ساز اطلاعات را روی یک تراشه واحد با ضخامت 2 میلی‌متر عرضه کند و البته بر اساس پیش‌بینی‌های این شرکت اعلام شده است که اواخر سال 2015 میلادی کارت‌های حافظه 10 ترابایتی اینتل با همین اندازه کوچک عرضه شوند.

اینتل اعلام کرده است که در جریان همکاری‌های خود با شرکت Micron این تراشه‌های حافظه‌ای را در آمریکا به تولید انبوه می‌رساند و قرار است آن را به صورت همه‌گیر به دست کاربران جهانی برساند.


​​